АО «НИИЭТ» (входит в группу компаний «Элемент») в рамках участия в общем выставочном стенде Группы компаний продемонстрировало усилители мощности, разработанные специалистами Передовой инженерной школой (ПИШ) «Российская электроника, инфокоммуникации и радиосвязь» ВГУ на Российском форуме «Микроэлектроника», который проходит 23-28 сентября на базе Федеральной территории «Сириус».
Совсем недавно в рамках заключенного договора между ПИШ ВГУ и АО «Концерн» Созвездие» специалисты ПИШ ВГУ и Дизайн-центра ВГУ создали новую методику синтеза усилителя мощности СВЧ-диапазона на отечественной электронно-компонентной базе. В ходе выполнения работы основой были выбраны СВЧ-транзисторы производства АО «НИИЭТ» – мощные транзисторы на основе технологии нитрида галлия.
«Разработанный в рамках ПИШ ВГУ усилитель мощности является действенным инструментом – это своего рода толчок в развитии и свидетельство силы российской инженерии и нашей приверженности поддержке микроэлектроники», – отметил генеральный директор АО «НИИЭТ» Павел Куцько.
Новая линейка усилителей мощности привлекла значительное внимание участников, в том числе председателя Правительства РФ Михаила Мишустина, который лично посетил стенд ГК «Элемент» и выразил интерес к усилителю мощности, признав его инновационный дизайн и потенциал.
В ходе осмотра экспозиции Группы компаний президент ПАО «Элемент» Илья Иванцов подробно рассказал премьер-министру о плюсах партнерства с ПИШ, отметил значительный вклад данного федерального проекта в развитие передовых решений. «Благодаря этому проекту создаются не только новаторские технологии, но и модернизируется система электроники, позволяя нашей стране стать лидером в глобальном технологическом прогрессе», – подчеркнул топ-менеджер.
