- Физические основы наноэлектроники
- Физика МДП-систем
- Физика полупроводников
Кафедра физики полупроводников и микроэлектроники
01.04.10 Физика полупроводников
50
© Воронежский государственный университет • 1997–2024
При использовании материалов ссылка на сайт обязательна
Профессор / доктор физико-математических наук
Кафедра физики полупроводников и микроэлектроники
01.04.10 Физика полупроводников
50
Высокоточная диагностика и синхротронные исследования функциональных материалов и наноразмерных структур для перспективных технологий и технических систем
ВЛИЯНИЕ МЕХАНИЧЕСКОГО УТОНЕНИЯ И ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН / Коняев И.В., Бородкин И.И., Велигура Г.А., Бормонтов Е.Н. // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. 2020. № 3 (546). С. 84-90.
ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ РАСТВОРЕНИЯ ПЛАТИНЫ В РАСПЛАВЛЕННЫХ ПРИПОЯХ. СВОЙСТВА СМАЧИВАЕМОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАТИНЫ РАСПЛАВЛЕННЫМ ЭВТЕКТИЧЕСКИМ ПРИПОЕМ / Побединский В.В., Рогозин Н.В., Бормонтов Е.Н. // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. 2020. № 2 (545). С. 29-36.
600- И 1200-ВТ СВЧ GAN-ТРАНЗИСТОРЫ L-ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ ОТ КОМПАНИИ АО "ПКК МИЛАНДР" / Тарасов С., Колесников Д., Глушков Г., Ткачев А., Бормонтов Е. // СВЧ-электроника. 2021. № 2 (17). С. 6-8.
СРАВНЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ ФУНКЦИЙ ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ СОРБЦИИ МЕТАНА В СИЛИКАЛИТЕ / Куцова Д.С., Богатиков Е.В., Шебанов А.Н., Бормонтов Е.Н. // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. 2021. Т. 14. № 3. С. 79-93.
УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ S-ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ НА ОСНОВЕ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ АО "ПКК МИЛАНДР" / Тарасов С.В., Полунин М.М., Колесников Д.В., Глушков Г.И., Бормонтов Е.Н. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. № 3. С. 190-194.